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PJ2301_R1_00001
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-3.1A < 100mΩ。 RDS(ON)，VGS@-2.5V，ID@-2.0A < 135mΩ。 RDS(ON)，VGS@-1.8V，ID@-1.1A < 190mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJ2301_R1_00001
- 商品编号
- C393453
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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