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PJQ1900_R1_00001
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性：低电压驱动（1.2V）。先进的沟槽工艺技术。专为开关负载、PWM应用等设计。ESD保护。符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ1900_R1_00001
- 商品编号
- C391649
- 商品封装
- DFN-3L(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 67pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低电压驱动(1.2V)。
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特别设计。
- 具备ESD保护
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料