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PJT138K_R1_00001
2个N沟道 耐压:50V 电流:360mA
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 1.6Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 2.5Ω。 RDS(ON)，VGS@2.5V，ID@100mA < 4.5Ω。 先进的沟槽工艺技术。 ESD保护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT138K_R1_00001
- 商品编号
- C391661
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 236mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为10V、漏极电流（ID）为500mA时，导通电阻（RDS(ON)）<1.6Ω
- 栅源电压（VGS）为4.5V、漏极电流（ID）为200mA时，导通电阻（RDS(ON)）<2.5Ω
- 栅源电压（VGS）为2.5V、漏极电流（ID）为100mA时，导通电阻（RDS(ON)）<4.5Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 静电放电（ESD）保护达2KV人体模型（HBM）
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）