温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJQ5476AL_R2_00001
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A 电流:6.5A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5476AL_R2_00001
- 商品编号
- C391650
- 商品封装
- DFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.519nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON):栅源电压VGS为10V、漏极电流ID为20A时,小于25mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON):栅源电压VGS为4.5V、漏极电流ID为15A时,小于28.5mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
- PJT138K_R1_00001
- PJT7600_R1_00001
- PJSD05_R1_00001
- PJSD05LCTS_R1_00001
- PJSD05TM_R1_00001
- PJSD05W_R1_00001
- PJSD12CW_R1_00001
- PJSD15W_R1_00001
- PJSD36CW_R1_00001
- PJSD36W_R1_00001
- PJSOT08C-05_R1_00001
- PJSRV05-4_R1_00001
- PS2010R_AY_10001
- QRT1506_T0_00001
- RB501V-40_R1_00001
- RB521S30_R1_00001
- RB551V-30_R1_00001
- RB720M-30_R1_00001
- RB751S40_R1_00001
- RB751V-40_R1_00001
- RS1G_R1_00001