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PJC7407_R1_00001
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-1.3A < 125mΩ。 RDS(ON)，VGS@-2.5V，ID@-1.0A < 150mΩ。 RDS(ON)，VGS@-1.8V，ID@-0.5A < 200mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJC7407_R1_00001
- 商品编号
- C391641
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品特性
- 栅源电压VGS为 -4.5V、漏极电流ID为 -1.3A时,导通电阻RDS(ON) < 125mΩ
- 栅源电压VGS为 -2.5V、漏极电流ID为 -1.0A时,导通电阻RDS(ON) < 150mΩ
- 栅源电压VGS为 -1.8V、漏极电流ID为 -0.5A时,导通电阻RDS(ON) < 200mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等设计
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)