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PJD50N10AL_L2_00001
1个N沟道 耐压:100V 电流:6.3A 电流:42A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD50N10AL_L2_00001
- 商品编号
- C391642
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.485nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 栅源电压为10V、漏极电流为20A时，导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
- 栅源电压为4.5V、漏极电流为15A时，导通电阻RDS(ON) < 28.5mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤）