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PJA3416AE_R1_00001

1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A

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描述
特性:RDS(ON), VGS@4.5V, ID@6.5A < 22mΩ。 RDS(ON), VGS@2.5V, ID@6.5A < 26mΩ。 RDS(ON), VGS@1.8V, ID@5.0A < 34mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤素)
品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJA3416AE_R1_00001
商品编号
C391638
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.017克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)836pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)96pF

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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