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WFD5N65L
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条形垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。这项最新技术经过专门设计，旨在最大程度降低导通电阻，并具备高抗雪崩特性。该器件特别适用于半桥和全桥谐振拓扑，如电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正
- 品牌名称
- Winsemi(稳先微)
- 商品型号
- WFD5N65L
- 商品编号
- C385768
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 512pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用先进的平面条形 VDMOS 技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备高抗雪崩特性。该器件特别适用于半桥和全桥谐振拓扑，如电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正。
商品特性
- 5.0A、650V，在 VGS = 10V 时，RDS(on)（最大值 2.7Ω）
- 超低栅极电荷（典型值 12nC）
- 快速开关能力
- 100% 雪崩测试
- 最大结温范围（150°C）