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WFF8N65L
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 品牌名称
- Winsemi(稳先微)
- 商品型号
- WFF8N65L
- 商品编号
- C385766
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 902pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用先进的平面条纹 VDMOS 技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备出色的雪崩特性。该器件特别适用于半桥和全桥谐振拓扑电路，如电子灯镇流器、高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 8.0A、650V，VGS = 10V 时，RDS(导通)（最大值 1.4Ω）
- 超低栅极电荷（典型值 14.5nC）
- 快速开关能力
- 100%雪崩测试
- 最大结温范围（150°C）