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WFD7N65L
N沟道 MOSFET,电流:7A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- Winsemi(稳先微)
- 商品型号
- WFD7N65L
- 商品编号
- C385764
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.052nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形VDMOST技术制造。该技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备高抗雪崩特性。该器件特别适用于高效开关模式电源、功率因数校正、不间断电源（UPS）以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 7A、650V，VGS = 10V时，RDS(on)（典型值：1.0Ω）
- 超低栅极电荷（典型值21nC）
- 快速开关能力
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力