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IRLML9303
P沟道增强型功率MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- IRLML9303采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- IRLML9303
- 商品编号
- C3040111
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
TF80N06A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS -30V
- ID(在 VGS = -10V 时) -5.0A
- RDS(ON)(在 VGS = -10 V 时) 50mΩ(最大值)
- RDS(ON)(在 VGS = -4.5 V 时) 65mΩ(最大值)
- RDS(ON)(在 VGS = -2.5V 时) 90mΩ(最大值)
- SOT23
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器