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PMV50EPEA
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
- 描述
- Trench Power LV MOSFET技术。高密度单元设计，实现低导通电阻。高速开关
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- PMV50EPEA
- 商品编号
- C3040115
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
TF140N06N采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 先进的器件结构
- 低导通电阻RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理