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LM2301
P沟道增强模式功率MOSFET 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- LM2301
- 商品编号
- C3040118
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
商品特性
- VDS = -20 V,ID = -3 A
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) < 140 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 110 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理