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STR2P3LLH6
P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- STR2P3L LH6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- STR2P3LLH6
- 商品编号
- C3040112
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS -30V
- ID(VGS = -10V时) -5.0A
- RDS(ON)(VGS = -10V时) 50mΩ(最大值)
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时) 65mΩ(最大值)
- RDS(ON)(VGS = -2.5V时) 90mΩ(最大值)
- SOT23
应用领域
- 适配器开关
- 负载开关
- 电源管理
- 移动计算