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DMG3130LQ
P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- DMG3130LQ 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，并可在低至 2.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- DMG3130LQ
- 商品编号
- C3040113
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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