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KY1012
N沟道,电流:600mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- KY(韩景元)
- 商品型号
- KY1012
- 商品编号
- C3029287
- 商品封装
- SOT-523-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V,350mA | |
| 耗散功率(Pd) | 175mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 0.7 Ω(典型值0.41 Ω)
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) ≤ 0.85 Ω(典型值0.53 Ω)
- 在VGS = 1.8V时,RDS(ON) ≤ 1.25 Ω(典型值0.7 Ω)
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机