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WSF30150
1个N沟道 耐压:30V 电流:110A
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- 描述
- WSF30150是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF30150符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全面的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF30150
- 商品编号
- C3015208
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 358pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 386pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电池保护
- 负载开关