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WSF3013B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:22A
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- 描述
- WSF3013B 是高性能的沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF3013B 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，经全面功能可靠性认证，100%保证符合 EAS 标准。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF3013B
- 商品编号
- C3015216
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
3426采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板(MB)/笔记本电脑(NB)/超移动个人计算机(UMPC)/显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)背光源逆变器