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WSR30N65C
1个N沟道 耐压:650V 电流:28A
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- 描述
- WSR30N65C系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的ACDC开关电源（SMPS）要求。WSR30N65C符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR30N65C
- 商品编号
- C3015214
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
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起订量：1 个50个/管
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