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WSR20N20

1个N沟道耐压:200V 电流:20A

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描述: WSR20N20是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSR20N20符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
品牌名称: WINSOK(微硕)
商品型号: WSR20N20
商品编号: C3015215
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.1克(g)

商品参数

商品概述

WSR30N65C系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。 WSR30N65C符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，且具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

先进的高单元密度沟槽技术
超低栅极电荷
出色的Cdv/dt效应抑制
提供绿色环保器件

应用领域

高频负载点同步降压转换器
网络DC-DC电源系统
负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	150mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	104W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	41nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.318nF
	反向传输电容(Crss)	75pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	180pF