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WSK150N12
1个N沟道 耐压:120V 电流:150A
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- 描述
- WSK150N12是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷特性。WSK150N12符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK150N12
- 商品编号
- C3015211
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.823nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 778.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.823nF |
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购买数量
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