AP18N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 品牌名称APM(永源微电子)
商品型号
AP18N03D商品编号
C3011267商品封装
TO-252-3包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,5A | |
功率(Pd) | 20.8W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.5nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 530pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 36pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量(2500个/圆盘,最小起订量 5 个 )
个
起订量:5 个2500个/圆盘
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