商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω@10V,200mA | |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 600pC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 25pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP3601系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。 SOT-23S封装在商业和工业表面贴装应用中广受欢迎,适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低阈值:2 V(典型值)
- 低输入电容:25 pF
- 快速开关速度:25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 1200V ESD 保护
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
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