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TK8A65D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向转移导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。 增强模式：Vth = 2.0±0.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK8A65D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C2990817
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
超结功率MOSFET是一种适用于高压功率MOSFET的突破性技术，依据超结（SJ）原理设计。深沟槽超结MOSFET是一款具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其极高的稳健性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热性好。
商品特性
- 超快体二极管
- 极低的品质因数（导通电阻RDS(on)乘以栅极电荷Q_g）
- 易于使用/驱动
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
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