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DMC1030UFDB-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMC1030UFDB-7

1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:5.1A

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMC1030UFDB-7
商品编号
C2990750
商品封装
UDFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)5.1A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@1.5V
耗散功率(Pd)1.89W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)23.1nC@8V
输入电容(Ciss)1.003nF
反向传输电容(Crss)115pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持出色的开关性能,使其非常适合高效率电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 超薄设计,最大高度0.6mm
  • 栅极具备ESD保护
  • 完全无铅,完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中所引用),具备高可靠性
  • 另有符合汽车应用标准的型号,其数据手册单独提供(DMC1030UFDBQ)

应用领域

  • 负载开关
  • 电源管理功能
  • 便携式电源适配器

数据手册PDF