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DMC1030UFDB-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:5.1A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC1030UFDB-7
- 商品编号
- C2990750
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.1nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.003nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
WSD75N12GDN56采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达150°C
- 引脚无铅电镀
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 直流-直流转换器-负载开关