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TK2P60D(TE16L1,NQ)
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 1.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK2P60D(TE16L1,NQ)
- 商品编号
- C2990818
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 1200V ESD 保护
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
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