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TK65A10N1,S4X(S
1个N沟道 耐压:100V 电流:148A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式：VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK65A10N1,S4X(S
- 商品编号
- C2990814
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 148A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.3 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Y_fs| = 3.0 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 500 V）
- 增强型：V_th = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
-开关调节器应用