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TK25A20D,S5X
1个N沟道 耐压:200V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。 增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK25A20D,S5X
- 商品编号
- C2990812
- 商品封装
- ITO-220S-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
GL25N40A8是一款采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 0.155 Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：60nC）
- 低反向传输电容（典型值：25pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路