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TSX339IQ4T实物图
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TSX339IQ4T

TSX339IQ4T

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描述
微功耗(5uA)16V CMOS四路比较器,漏极开路输出
商品型号
TSX339IQ4T
商品编号
C2965219
商品封装
QFN-16(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录比较器
比较器数四路
输入失调电压(Vos)100uV
输入偏置电流(Ib)1pA
传播延迟(tpd)2.5us
滞后电压(Vhys)-
共模抑制比(CMRR)73dB
输出类型开漏
属性参数值
输出模式TTL;CMOS
静态电流(Iq)5uA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)16V
单电源2.7V~16V
双电源(Vee ~ Vcc)-8V~-1.35V;1.35V~8V
输入失调电流(Ios)1pA
响应时间(tr)2us

商品概述

TSX339是一款微功耗CMOS四电压比较器,每个比较器的典型电流消耗极低,仅为5 μA。该器件是对TS339的改进设计:它的电流消耗更低、输入失调电压更优,且静电放电(ESD)耐受性更强。TSX339在很宽的温度范围内都有完整的规格参数,TSSOP14封装的产品提供汽车级版本。它与TS339 CMOS比较器完全兼容,且提供相似的封装形式。此外,TSX339还推出了新型小尺寸封装QFN16 3x3,从而能在应用中实现更高的集成度。

商品特性

  • 低电源电流:每个比较器典型值为5 μA
  • 宽单电源范围:2.7 V至16 V,或双电源(±1.35 V至±8 V)
  • 极低的输入偏置电流:典型值为1 pA
  • 输入共模电压范围包含地电位
  • 开漏输出
  • 高输入阻抗:典型值为10^12 Ω
  • 快速响应时间:过驱动电压为5 mV时,典型值为2 μs
  • ESD耐受性:人体模型(HBM)4 kV,机器模型(MM)200 V
  • 引脚和功能与四通道CMOS TS339比较器兼容

应用领域

  • 汽车领域
  • 工业领域

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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