CY7C194-25VCT
CY7C194-25VCT
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- 商品型号
- CY7C194-25VCT
- 商品编号
- C2959623
- 商品封装
- BSOJ-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 115mA | |
| 待机电流 | 15mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C194、CY7C195和CY7C196是高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为65,536×4位。通过低电平有效的芯片使能信号（CY7C194和CY7C195上的CE，CY7C196上的CE₁、CE₂）和三态驱动器可轻松实现内存扩展。它们具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低75%。向器件写入数据时，芯片使能信号（CY7C194和CY7C195上的CE，CY7C196上的CE₁、CE₂）和写使能信号（WE）都需为低电平。四个输入引脚（I/O₀至I/O₃）上的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的存储位置。读取器件时，将芯片使能信号（CY7C194和CY7C195上的CE，CY7C196上的CE₁、CE₂）置为低电平，同时写使能信号（WE）保持高电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将出现在四个数据I/O引脚上。使用芯片涂层以确保抗α射线干扰。
商品特性
- 高速 — 12 ns
- 输出使能（OE）功能（7C195和7C196）
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 低工作功耗 — 880 mW
- 低待机功耗 — 220 mW
- TTL兼容的输入和输出
- 未选中时自动掉电