CY7C1354BV25-166AXC
CY7C1354BV25-166AXC
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- 商品型号
- CY7C1354BV25-166AXC
- 商品编号
- C2955484
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 2.375V~2.625V | |
| 读写时间 | 3.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 180mA | |
| 待机电流 | 35mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1354BV25和CY7C1356BV25分别是2.5V、256K x 36和512K x 18的同步流水线突发静态随机存取存储器(SRAM),具有无总线延迟(NoBL)逻辑。它们旨在支持无等待状态的无限真正背靠背读写操作。CY7C1354BV25和CY7C1356BV25具备先进的(NoBL)逻辑,可在每个时钟周期传输数据的情况下实现连续的读写操作。此特性显著提高了需要频繁读写转换的系统中的数据吞吐量。CY7C1354BV25和CY7C1356BV25与ZBT设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择(CY7C1354BV25的BW(a上划线) - BW(d上划线)和CY7C1356BV25的BW(a上划线) - BW(b上划线))和写使能(WE)输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步片选使能(CE1上划线、CE2、CE3上划线)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用,在写序列的数据部分期间,输出驱动器同步进入三态。
商品特性
- 引脚与ZBT兼容且功能等效
- 支持225 MHz总线操作,零等待状态,可用速度等级为225、200和166 MHz
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用异步OE
- 全寄存器(输入和输出)用于流水线操作
- 具备字节写能力
- 单2.5V电源供电
- 快速时钟到输出时间:225 MHz器件为2.8 ns,200 MHz器件为3.2 ns,166 MHz器件为3.5 ns
- 时钟使能(CEN)引脚可暂停操作
- 同步自定时写操作
- 提供100 TQFP、119 BGA和165 fBGA封装
- 支持IEEE 1149.1 JTAG边界扫描
- 具备突发能力,线性或交错突发顺序
- 有“ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项
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