CY7C1353F-100ACT

CY7C1353F是一款3.3V、256K x 18的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该芯片配备先进的无总线延迟（NoBL™）逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续的读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量，尤其适用于需要频繁进行写读转换的系统。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当CEN信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为6.5 ns（133-MHz器件）。写操作由两个字节写选择（BW[A:B]上划线）和一个写使能（WE）输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE）便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突，在写序列的数据部分，输出驱动器同步进入三态。

• 可支持高达133-MHz的零等待状态总线操作，每个时钟周期传输数据
• 引脚与ZBT™器件兼容，功能等效
• 内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE
• 直通操作的寄存器输入
• 具备字节写能力，采用256K x 18通用I/O架构
• 2.5V / 3.3V I/O电源
• 快速的时钟到输出时间：6.5 ns（133-MHz器件）；7.5 ns（117-MHz器件）；8.0 ns（100-MHz器件）；11.0 ns（66-MHz器件）
• 时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
• 同步自定时写操作
• 异步输出使能
• JEDEC标准100 TQFP封装
• 突发能力：线性或交错突发顺序
• 低待机功耗