CY7C1351F-100BGC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1351F-100BGC
商品编号: C2955517
商品封装: BGA-119
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1351F是一款3.3V、128K x 36的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该芯片配备先进的无总线延迟（NoBL™）逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量，尤其适用于需要频繁进行写读转换的系统。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当该信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为6.5 ns（133-MHz器件）。写操作由四个字节写选择（BW[A:D]上划线）和一个写使能（WE）输入控制。所有写操作通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE）便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突，在写序列的数据部分，输出驱动器同步进入三态。

商品特性

可支持高达133-MHz的零等待状态总线操作，每个时钟周期传输数据
引脚与ZBT™器件兼容，功能等效
内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE
直通操作的寄存器输入
字节写功能
128K x 36通用I/O架构
2.5V / 3.3V I/O电源
快速时钟到输出时间：6.5 ns（133-MHz器件）、7.5 ns（117-MHz器件）、8.0 ns（100-MHz器件）、11.0 ns（66-MHz器件）
时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
同步自定时写操作
异步输出使能
JEDEC标准的100 TQFP和119 BGA封装
突发功能，支持线性或交错突发顺序
低待机功耗

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4Mbit
	工作电压	3.135V~3.6V
	读写时间	8ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	205mA
	待机电流	40mA
	功能特性	自动掉电功能