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CY7C1352G-166AXI引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1352G-166AXI

CY7C1352G-166AXI

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商品型号
CY7C1352G-166AXI
商品编号
C2955506
商品封装
LQFP-100(14x20)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压3.135V~3.6V
读写时间3.5ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流240mA
待机电流40mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1352G是一款3.3V、256K x 18同步流水线突发静态随机存取存储器(SRAM),专门设计用于支持无等待状态插入的无限连续读写操作。该器件配备先进的无总线延迟(NoBL™)逻辑,可在每个时钟周期传输数据,实现连续读写操作。此特性显著提高了SRAM的吞吐量,尤其适用于需要频繁读写转换的系统。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器,所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为2.6 ns(250 MHz器件)。写操作由两个字节写选择(BW[A:B]上划线)和一个写使能(WE)输入控制,所有写操作通过片上同步自定时写电路进行。三个同步片选使能(CE1上划线、CE2、CE3上划线)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突,在写序列的数据部分,输出驱动器同步三态化。

商品特性

  • 引脚兼容且功能等效于ZBT设备
  • 内部自定时输出缓冲控制,无需使用OE
  • 字节写入能力
  • 256K x 18 共用I/O架构
  • 3.3V 核心电源
  • 2.5V/3.3V I/O电源
  • 快速的时钟到输出时间
  • 2.6 纳秒
  • 时钟使能引脚,用于暂停操作
  • 同步自定时写入
  • 异步输出使能
  • 采用无铅100引脚TQFP封装
  • 突发能力,支持线性或交错突发顺序
  • ZZ睡眠模式选项和停止时钟选项

数据手册PDF