CY7C1353B-66AC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1353B-66AC
商品编号: C2955503
商品封装: LQFP-100(14x20)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1353B是一款3.3V、256K×18的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该芯片配备先进的无总线延迟（NoBL™）逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续读写操作，显著提高SRAM的数据吞吐量，尤其适用于需要频繁进行写 - 读转换的系统。它与ZBT SRAMs MCM63Z819和MT55L256L18F引脚和功能兼容。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当CEN信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿开始的最大访问延迟为7.5 ns（117 - MHz器件）。写操作由四个字节写选择（BWS[1:0]上划线）和一个写使能（WE）输入控制，所有写操作通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE）便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突，在写序列的数据部分，输出驱动器同步进入三态。

商品特性

引脚与ZBT™器件MCM63Z819和MT55L256L18F兼容，功能等效
支持117 - MHz总线操作，零等待状态，每个时钟传输数据
内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE
直通操作的寄存器输入
字节写功能
256K×18通用I/O架构
单3.3V电源
快速时钟到输出时间：117 - MHz器件为7.5 ns；100 - MHz器件为8.5 ns；66 - MHz器件为11.0 ns；50 - MHz器件为12.0 ns；40 - MHz器件为14.0 ns
时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
同步自定时写
异步输出使能
JEDEC标准100 TQFP封装
突发能力 — 线性或交错突发顺序
低待机功耗

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4.5Mbit
	工作电压	3.135V~3.465V
	读写时间	11ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	250mA
	待机电流	5mA
	功能特性	自动掉电功能