CY7C1353G-133AXC

CY7C1353G是一款3.3V、256K x 18的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。它配备了先进的无总线延迟（NoBL™）逻辑，可在每个时钟周期传输数据，从而实现连续的读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量，尤其适用于需要频繁进行写读转换的系统。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当该信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为6.5 ns（133-MHz器件）。写操作由两个字节写选择（BW[A:B]上划线）和一个写使能（WE）输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步片选使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE）便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突，在写序列的数据部分，输出驱动器同步进入三态。

• 支持高达133-MHz的零等待状态总线操作
• 每个时钟周期传输数据
• 引脚与ZBT™器件兼容且功能等效
• 内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE
• 用于直通操作的寄存器输入
• 字节写能力
• 256K x 18通用IO架构
• 2.5V/3.3V IO电源（VDDQ）
• 快速时钟到输出时间（6.5 ns，针对133-MHz器件）
• 时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
• 同步自定时写
• 异步输出使能
• 采用无铅100引脚TQFP封装
• 突发能力（线性或交错突发顺序）
• 低待机功耗