CY7C1354C-250AXC
CY7C1354C-250AXC
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- 商品型号
- CY7C1354C-250AXC
- 商品编号
- C2955475
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 2.8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 250mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1354C/CY7C1356C分别是3.3V、256K×36/512K×18的同步流水线突发静态随机存取存储器(SRAM),具有无总线延迟(NoBL)逻辑。它们旨在支持无等待状态的无限连续读写操作。CY7C1354C/CY7C1356C具备先进的NoBL逻辑,可在每个时钟周期传输数据,实现连续读写操作。这一特性极大提高了需要频繁读写转换的系统的数据吞吐量。CY7C1354C/CY7C1356C与ZBT器件引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器,所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当CEN无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择(CY7C1354C的BW_a - BW_d和CY7C1356C的BW_a - BW_b)和写使能(WE)输入控制。所有写操作通过片上同步自定时写电路完成。三个同步片选(CE_1、CE_2、CE_3)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突,在写序列的数据部分,输出驱动器同步三态化。
商品特性
- 引脚与ZBT兼容且功能等效
- 支持250MHz总线操作,无等待状态
- 可用速度等级为250、200和166MHz
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用异步OE
- 全寄存器(输入和输出)用于流水线操作
- 具备字节写能力
- 单3.3V电源(VDD)
- 3.3V或2.5V I/O电源(VDDQ)
- 快速时钟到输出时间2.8ns(针对250MHz器件)
- 时钟使能(CEN)引脚可暂停操作
- 同步自定时写操作
- 提供无铅100引脚TQFP封装、无铅和含铅119球BGA封装以及165球FBGA封装
- 符合IEEE 1149.1 JTAG边界扫描
- 具备突发能力 - 线性或交错突发顺序
- 有“ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项
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