CY7C425-10JXC

CY7C419、CY7C420/1、CY7C424/5、CY7C428/9 和 CY7C432/3 是先进先出（FIFO）存储器，提供 600 密耳宽和 300 密耳宽的封装。它们分别为 256、512、1024、2048 和 4096 字，字宽为 9 位。每个 FIFO 存储器的组织方式使得数据按照写入的顺序依次读取。提供满和空标志以防止溢出和欠载。还提供了三个额外的引脚，以方便在宽度、深度或两者上进行无限扩展。深度扩展技术将控制信号从一个设备并行导向另一个设备，从而消除了传播延迟的串行累加，因此不会降低吞吐量。数据也以类似的方式导向。

读写操作可以是异步的；每个操作的速率可达 50.0 MHz。当写（W（上划线））信号为低电平时，进行写操作。当读（R（上划线））信号为低电平时，进行读操作。当 R（上划线）为高电平时，九个数据输出进入高阻抗状态。

提供了一个半满（HF）输出标志，该标志在独立和宽度扩展配置中有效。在深度扩展配置中，该引脚提供扩展输出（XO）信息，用于告知下一个 FIFO 它将被激活。

在独立和宽度扩展配置中，重传（RT）输入为低电平会使 FIFO 重传数据。重传期间，读使能（R）和写使能（W）必须都为高电平，然后使用 R 来访问数据。

CY7C419、CY7C420、CY7C421、CY7C424、CY7C425、CY7C428、CY7C429、CY7C432 和 CY7C433 采用先进的 0.65 微米 P 阱 CMOS 技术制造。输入 ESD 保护大于 2000V，通过精心布局和保护环防止闩锁。

• 异步先进先出（FIFO）缓冲存储器
• 256 × 9（CY7C419）
• 512 × 9（CY7C421）
• 1K × 9（CY7C425）
• 2K × 9（CY7C429）
• 4K × 9（CY7C433）
• 双端口 RAM 单元
• 高速 50.0 MHz 读写，与深度/宽度无关
• 低工作功耗：ICC = 35 mA
• 空和满标志（独立模式下有半满标志）
• TTL 兼容
• 独立模式下可重传
• 宽度可扩展
• PLCC、7x7 TQFP、SOJ、300 密耳和 600 密耳 DIP 封装
• 提供无铅封装
• 引脚兼容且功能等同于 IDT7200、IDT7201、IDT7202、IDT7203、IDT7204、AM7200、AM7201、AM7202、AM7203 和 AM7204