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HY045N10P
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 100V/120A，RDS(ON)=4.2mΩ（典型值），VGS ≤ 10V；经过100%雪崩测试；可靠耐用；提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY045N10P
- 商品编号
- C357998
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.865克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 221W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4522nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 174.6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.842nF |
商品概述
NCE40H12采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 120A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） < 4 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） < 7 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源