温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HY1904C2
1个N沟道 耐压:40V 电流:65A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 40V/65A RDSON = 5.1 mΩ（典型值）@ VGS = 10V；RDSON = 6.2 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V；经过100%雪崩测试；可靠耐用；提供无卤器件
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1904C2
- 商品编号
- C358116
- 商品封装
- PPAK-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 2.391nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4828采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V
- 漏极电流（ID） = 4.5 A（栅源电压（VGS） = 10 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 56 mΩ（栅源电压（VGS） = 10 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 77 mΩ（栅源电压（VGS） = 4.5 V时）
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 负载开关
- PWM应用