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HY1920W
1个N沟道 耐压:200V 电流:90A
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- 描述
- N沟道 200V 90A
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1920W
- 商品编号
- C358133
- 商品封装
- TO-247A-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.883克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 5.871nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 无铅
- 可靠耐用
- 静电敏感器件
- 湿度敏感度等级1级（MSL1）
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统