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HY1920P
1个N沟道 耐压:200V 电流:90A
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- 描述
- 200V/90A。RDS(ON)=22mΩ（典型值）@VGS = 10V。经过100%雪崩测试
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1920P
- 商品编号
- C358134
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.871nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 392pF |
商品概述
WSD2050DN33是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。 WSD2050DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证雪崩能量（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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