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HY0C20C
2个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY0C20C
- 商品编号
- C358135
- 商品封装
- DFN-6L(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 20V/12A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 9 mΩ（典型值）
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 11.5 mΩ（典型值）
- 高单元密度，实现低Rds(on)
- ESD额定值：2000V HBM
- 有卤素器件可选
应用领域
- 电池组保护
- 电动工具、手机