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HY1803C2
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1803C2
- 商品编号
- C358112
- 商品封装
- PPAK-8L(5x6)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.726nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 322pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 469pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -9.0 A时，最大漏源导通电阻（RDS(on)） = 20 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V、漏极电流（ID） = -6.5 A时，最大漏源导通电阻（RDS(on)） = 37 mΩ
- 扩展的栅源电压（VGSS）范围（-25 V），适用于电池应用
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 高功率和电流处理能力
- 典型人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >7 kV
- 100%进行非钳位感性负载（UII）测试
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关