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HY12P03C2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY12P03C2

1个P沟道 耐压:30V 电流:50A

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描述
-30V/-50A。在VGS = -10V时,RDS(ON)= 10.4mΩ(典型值);在VGS = -4.5V时,RDS(ON)= 14.2mΩ(典型值)。经过100%雪崩测试
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY12P03C2
商品编号
C358006
商品封装
PPAK5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)34nC
输入电容(Ciss)2.814nF
反向传输电容(Crss)399pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)469pF

商品概述

-30V/-50A RDS(导通电阻) = 10.4mΩ(典型值),VGS = -10V RDS(导通电阻) = 14.2mΩ(典型值),VGS = -4.5V 100%雪崩测试

  • 可靠耐用
  • 有无卤器件可供选择

商品特性

  • -30V/-50A
  • RDS(导通电阻) = 10.4mΩ(典型值),VGS = -10V
  • RDS(导通电阻) = 14.2mΩ(典型值),VGS = -4.5V
  • 100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 有无卤器件可供选择

应用领域

  • 高频负载点同步降压转换器-电动工具应用-网络直流-直流电源系统

数据手册PDF