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HY1103S
1个N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 特性：30V/11A，导通电阻RDS(ON) = 9.5mΩ（典型值）@VGS = 10V；导通电阻RDS(ON) = 11.5mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 DC/DC电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1103S
- 商品编号
- C358003
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 184pF |
商品特性
- 30V/11A
- RDS(ON) = 9.5mΩ（典型值）@VGS = 10V
- RDS(ON) = 11.5mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 开关应用
- DC/DC电源管理
- 电池保护