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HY1310D
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1310D
- 商品编号
- C358004
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.488克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 100V/33A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 19.5 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 20.5 mΩ(典型值)
- 具备雪崩额定值
- 可靠且耐用
- 有无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-逆变器系统的电源管理。