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HY3403P
1个N沟道 耐压:30V 电流:140A
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- 描述
- 30V/140A RDS(ON)=2.2mΩ（典型值），@VGS = 10V RDS(ON)=2.7mΩ（典型值），@VGS = 4.5V 100%雪崩测试 出色的CdV/dt效应抑制 提供无铅器件
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3403P
- 商品编号
- C357987
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
TSSOP8 塑封封装 N 沟道双 MOS 管。
商品特性
- 30V/140A
- RDS(ON)= 2.2 mΩ(典型值),VGS= 10 V
- RDS(ON)= 2.7 mΩ(典型值),VGS= 4.5 V
- 100%雪崩测试
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 提供无铅器件
应用领域
-开关应用-DC/DC电源管理