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HY3403P
1个N沟道 耐压:30V 电流:140A
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- 描述
- 30V/140A RDS(ON)=2.2mΩ（典型值），@VGS = 10V RDS(ON)=2.7mΩ（典型值），@VGS = 4.5V 100%雪崩测试 出色的CdV/dt效应抑制 提供无铅器件
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3403P
- 商品编号
- C357987
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
TSSOP8 塑封封装 N 沟道双 MOS 管。
商品特性
- 采用先进的沟槽技术，提供较小的导通电阻 RDS(on)，低栅极电荷，栅极工作电压低至 2.5V。
- 采用先进的沟槽技术，以提供出色的导通电阻 RDS(on)、低栅极电荷，且栅极电压低至 2.5V 时仍可工作。
应用领域
- 适用于电池保护电路、开关电路。
- 用作电池保护、开关应用。