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HY0910D
1个N沟道 耐压:100V 电流:9A
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY0910D
- 商品编号
- C357993
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 169mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 100V/9A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 118 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 140 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 逆变器系统电源管理
- N沟道MOSFET