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ESD5611N-2/TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESD5611N-2/TR

双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流:25A@8/20us

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描述
ESD5611N是一款瞬态电压抑制器(TVS),旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV(接触放电)的ESD保护,并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。
品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
ESD5611N-2/TR
商品编号
C2939834
商品封装
DFN1006-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压11V
峰值脉冲电流(Ipp)25A@8/20us
击穿电压5.2V
属性参数值
反向电流(Ir)50nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容65pF

商品概述

ESD5611N是一款瞬态电压抑制器(TVS),旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。 ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV(接触放电)的ESD保护,并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。 ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。 标准产品无铅且无卤素。

商品特性

  • 关断电压:最大±5.0V
  • 根据IEC61000 - 4 - 2(ESD)标准为每条线路提供瞬态保护:±30 kV(接触放电)
  • 根据IEC61000 - 4 - 5(浪涌)标准:25A(8/20 μs)
  • 电容:典型值C_J = 65 pF
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • 固态硅技术

应用领域

  • 计算机及外围设备
  • 手机
  • 便携式电子设备
  • 笔记本电脑
  • 相机

数据手册PDF